1.31 μm高飽和出力 低雑音タイプ半導体光増幅器の販売を開始

アンリツ株式会社



アンリツ株式会社（社長 濱田 宏一）は、データセンタ間接続に使用される光トランシーバの高飽和出力[*1]ニーズに応える1.31 μm 半導体光増幅器 (SOA: Semiconductor Optical Amplifier [*2]) AA3TB10EYの販売を、2026年7月27日から開始いたします。

今回開発したSOAは、高飽和出力11.5 dBmと低雑音指数[*3]5.8 dBを両立し、優れた信号品質と安定した光増幅性能を実現しています。また、コンパクトなセラミック製キャリアに搭載したチップキャリアタイプを採用しており、高密度実装に対応可能です。さらに、シリコンプラットフォームとの高い親和性を備え、次世代の小型・高性能光トランシーバ[*4]の実現をサポートします。

本製品はPAM4[*5]信号の増幅に最適です。高飽和出力と低雑音特性に加え、偏波による光学利得の変動を示す偏波依存利得が低いことを特長としています。これにより、入力信号波形を忠実に保持したまま増幅し、高品質な信号出力を実現することができます。

アンリツは長年培った光デバイス技術を生かした製品を幅広く提供していくことで、光通信の発展に貢献してまいります。

開発の背景
AIの急速な進化に伴い、データセンタネットワークも飛躍的な成長が続いています。光トランシーバモジュールは機器間を繋ぐ重要なコンポーネントであり、SOA<はその伝送距離の延長に広く使用されています。

一方、伝送容量増加の必要性からPAM4を活用した伝送方式の標準化進んでいます。そのため、高品質な信号を忠実に出力する高飽和出力かつ低雑音のSOAへの要求が高まっています。

アンリツはこうしたニーズに応えるべく通信市場で長年培ってきた光デバイス技術を基に、高飽和出力・低雑音SOAを開発しました。

製品概要
AA3TB10EYは、SOAチップを窒化アルミニウム製小型キャリアにマウントしたチップキャリアタイプの製品です。光集積回路への組込み用に適しており、中心波長1310 nmにおいて光学利得10 dB、偏波依存利得1.5 dB、飽和出力11.5 dBm、雑音指数5.8 dBを実現しています。

また、400GbE、800GbE、1.6TbE等のER/ZR光トランシーバに最適です。

対象市場・用途
対象市場：光通信機器メーカーなど
用途：光トランシーバ

用語解説
[*1] 飽和出力入力信号を大きくした時に、利得が線形領域から3 dB低下したときの光出力。

[*2] SOA（Semiconductor Optical Amplifier/半導体光増幅器）半導体レーザの両端に反射防止処理をするなどして共振を抑圧し、外部からの光を増幅するようにした光半導体素子。ファイバ増幅器に比較して小型で消費電力に優れる。偏波依存性が大きい問題があったが、近年では改善されてきたため使用例が急速に増えた。

[*3] 雑音指数信号が増幅器を通過する際に信号対雑音比（SNR）がどの程度劣化するかを示す指標。

[*4] 光トランシーバ光と電気の間で信号を相互に変換するためのデバイスで、パッケージサイズ、伝送速度、光ファイバ、および伝送距離の違いなどにより様々な種類がある。

[*5] PAM4PAMはPulse Amplitude Modulationの略。振幅変調により伝送容量を向上させる方式。PAM4は4値（00, 01, 10, 11）での振幅変調方式のこと。
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